欧米・中国で盛り上がるパワー半導体市場、ルネサスがデモEVを制作 13枚目の写真・画像

ルネサスエレクトロニクスが8月30日、「AE5」という新世代型、耐圧750V・300AのSi-IGBT（シリコン・絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）のサンプル出荷を開始した。2023年上期に量産も始まるという。