ルネサスエレクトロニクスが8月30日、「AE5」という新世代型、耐圧750V・300AのSi-IGBT(シリコン・絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)のサンプル出荷を開始した。2023年上期に量産も始まるという。
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